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Keramische Heizelemente

aus heißgepresster Siliziumnitridkeramik


Waferbeheizung

aus Siliziumnitridkeramik

Produktauswahl

Produkte / Keramische Heizelemente / Waferbeheizung

Waferbeheizung


Beschreibung

Keramische Heizplatten aus Siliziumnitrid können bis zum Außendurchmesser von 400 mm hergestellt werden, innerhalb dieses Durchmessers sind sämtliche Rechteckformen, Sonderformate und Durchbrüche möglich. Eine typische Höhe der Platte ist 5 mm mit integriertem Kühlkanal ca. 15 mm. Die Eigenschaften der Keramik und die geringe Masse ermöglichen schnelle Aufheizraten, eine homogene Temperaturverteilung und sehr gute Regelgenauigkeit. Aufgrund der geringen Wärmedehnung der Keramik bleibt die Oberfläche auch bei Temperaturwechselbetrieb im Vergleich zu Metallen sehr eben. Die hohe Festigkeit des heißgepressten Siliziumnitrids erlaubt eine hohe Beanspruchung (z. B. bei Druckbelastung) bei sehr geringem Verschleiß. Die Heizplatten eigenen sich hervorragend für anspruchsvolle Prozesse in Halbleiterfertigungsanlagen.


Kundenspezifisches Design

Unser hauseigenes Design bietet eine Anpassung der Größe und Bauform, Leistung, sowie das Einbringen von Bohrungen für Halterung und Temperaturregelung, außerdem sind gelaserte Vakuumrillen möglich. Die Plattenheizer werden flachgeschliffen, können aber für besondere Anforderungen auch auf < 10 μm Ebenheit bearbeitet werden. Unser keramischer Heizleiter und das kundenspezifische Design realisieren außerdem die Integration von mehreren Heizzonen, Wärmeentzugskompensationen und eines internen Messleiters zur Temperaturmessung. Für den Betrieb im Hochvakuum bis 1 000 °C kann eine Pinkontaktierung angeboten werden. Wir haben in mehreren Kundenprojekten eine Kühlfunktion integriert, die durch einen aufgelöteten Kühlkanaldeckel aus identischer Keramik realisiert wird. Die Kühlung erfolgt durch Druckluft über Stickstoff.


Produktauswahl

Folgend nur eine kleine Auswahl unserer Produkte. Weitere Ausführungen können Sie gerne über unser Produktanfrageformular erfragen.

Abmaße Beheizter Bereich Tmax Bemerkung
90 x 90 x 6,0 mm 90 x 90 x 6,0 mm 500 °C -
Ø 150 x 7,0 mm Ø 150 x 7,0 mm 500 °C -
Ø 300 x 8,0 mm Ø 300 x 8,0 mm 500 °C zwei Heizkreise

Vorteile

Welche Vorteile haben Sie?

  • Sie erreichen eine homogene Temperaturverteilung bei gleichzeitig hoher Ebenheit der Heizplatte
  • Integrierte Kühlung und/oder Vakuumanschlüsse möglich
  • Die Heiz- und Kühlfunktion kann Ihrem Prozess angepasst werden

Anwendungsbereiche

  • Halbleiterherstellungsanlagen (z. B. Bonder)
  • Beschichtungsanlagen (CVD, PVD)
  • Lötanlagen
  • Vakuumtechnik